Назад  |  Содержание  |  Вперед


ВВЕДЕНИЕ

Моделирование на ЭВМ поведения электронных цифровых устройств в настоящее время стало неотъемлемой частью автоматизации проектирования и диагностирования этих устройств. С помощь логического моделирования решаются задачи проверки правильности логического функционирования цифровых устройств, построения проверяющих тестов и т. д.

Большое распространение получили интегральные микросхемы на основе полевых транзисторов структуры металл - окисел - полупроводник (МОП транзисторы). Принципиальные особенности транзисторов этого типа позволяют создавать элементы и целые узлы цифровых устройств с малым потреблением энергии при высокой помехоустойчивости и нагрузочной способности. Сравнительно с биполярными транзисторами они имеют меньшие размеры, что позволяет разместить на единице площади кристалла большее число элементов при более простой технологии.

Широкое применение МОП и КМОП технологий требует проведения широкого круга исследований и разработки эффективных средств тестового диагностирования (тестирования) цифровых схем. Сложность решения задач тестирования больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС) вызвана прежде всего быстрым ростом степени интеграции, частоты и архитектурной сложности схем. Все это ведет к существенному усложнению и удорожанию подготовки тестов проверки БИС и СБИС и испытательной аппаратуры.

Цифровые устройства, создаваемые по МОП и КМОП технологиям, имеют особенности своего функционирования, которые трудно моделировать при их представлении моделями вентильного уровня. Если с двунаправленностью сигналов при моделировании исправных устройств можно достаточно легко справиться, то моделирование неисправностей ясно показывает недостаточность традиционного вентильного подхода. С другой стороны программы аналогового моделирования, способные моделировать все типы МОП-схем на электрическом уровне, требуют большого объема вычислений уже для интегральных микросхем средней степени интеграции. Поэтому с целью адекватности отображения неисправностей переходят на переключательный уровень.

Целью данной работы является разработка и реализация основных алгоритмов и методов системы многозначного параллельного логического моделирования МОП СБИС на переключательном уровне.



Назад  |  Содержание  |  Вперед

© Терещук Д.С., 2001