Донецкий национальный технический университет
Факультет КИТА
Кафедра ЭТ

Филобок Роман Маркович
2004г.

Электроника
Раздел: Твердотельная электроника
50
0

1. В зависимости от степени легирования р-n-переходы делят на:
 - симметричные и несимметричные
 - донорные и акцепторные
 - прямого и обратного включения
 - насыщенные и обедненные

2. Диффузионная длина - расстояние в ПП, на котором концентрация носителей заряда изменяется:
 - в 2,71-раз
 - в 3,14-раз
 - в 2 раза
 - в 1,7 раз

3. ПП с большой концентрацией примесей и малым сопротивлением называется:
 - эмиттер
 - база
 - инжектор
 - затвор

4. С увеличением температуры окружающей среды высота потенциального барьера:
 - уменьшается
 - увеличивается
 - остается неизменной
 - увеличивается только при увеличении концентрации примесей

5. Переход Шотки - это:
 - переход Ме-ПП
 - переход p+ - p-
 - переход n+ - n-
 - переход p-ПП - n-ПП

6. Искривленные зоны вблизи поверхности ПП называются:
 - каналом
 - затвором
 - стоком
 - истоком

7. При прямом включении р-n-перехода в основном проявляется:
 - диффузионная емкость
 - барьерная емкость
 - обе емкости в равной степени
 - обе емкости не проявляются

8. К типам пробоя р-n-переходов не относится:
 - спонтанный пробой
 - туннельный пробой
 - лавинный пробой
 - тепловой пробой

9. ПП-диодом называется прибор, имеющий:
 - 1 выпрямляющий контакт и 2 омических вывода
 - 2 выпрямляющих контакта и 1 омический вывод
 - только 2 омических вывода
 - только два выпрямляющих контакта

10. Температурный коэффициент германия:
 - 0,09К-1
 - 0,13 К-1
 - 1К-1
 - 2,7 К-1

11. Температурный коэффициент напряжения германиевых диодов:
 - 2,2 мВ/град
 - 0,71 мВ/град
 - 1,33 мВ/град
 - 0,1 мВ/град

12. ВЧ-диоды изготавливаются путем:
 - вплавления Ме-вывода
 - вплавления ПП-контакта
 - увеличения степени легирования
 - увеличения площади р-n-перехода

13. Скоростные диоды имеют время восстановления:
 - 0,1мкс<tВОС<0,1мкс
 - 0,1нс<tВОС<0,1мкс
 - 0,1мс<tВОС<1с
 - 0,1мкс<tВОС<1мс

14. К основным параметрам стабилитрона не относится:
 - коэффициент стабилизации
 - минимальный ток стабилизации
 - напряжение стабилизации
 - дифференциальное сопротивление стабилизации

15. Для стабилизации напряжения до 1В используются кремниевые диоды, называемые:
 - стабисторами
 - термисторами
 - варикапами
 - импульсными диодами

16. Напряжение впадины для германиевых туннельных диодов:
 - 250..350мВ
 - 400..500мВ
 - 300..450мкВ
 - 100..150мВ

17. Найдите лишнюю позицию в классификации туннельных диодов:
 - стабилизирующие
 - усилительные
 - генераторные
 - переключательные

18. Максимальная емкость р-n-перехода туннельного диода:
 - 1-2пФ
 - 10-20пФ
 - 1-2мкФ
 - 1-2Ф

19. На резонансной частоте:
 - мнимая часть комплексного сопротивления равна 0
 - действительная часть комплексного сопротивления равна 0
 - мнимая часть по модулю равна действительной
 - комплексное сопротивление определить не возможно

20. К элементам эквивалентной схемы варикапа не относится:
 - входная емкость
 - индуктивность выводов
 - сопротивление базы
 - барьерная емкость

21. Цифровое обозначение кремниевых диодов:
 - 2
 - 1
 - 4
 - 3

22. Транзистор имеет:
 - не менее 2 р-n-переходов
 - 1 р-n-переход
 - 2 невыпрямляющих вывода
 - не имеет выпрямляющих выводов

23. Активная ширина базы транзистора обозначается:
 - w
 - b
 - l
 - e

24. Работа транзистора по схеме с общей базой характеризуется:
 - коэффициентом передачи по току
 - коэффициентом усиления по напряжению
 - температурным коэффициентом сопротивления
 - температурным коэффициентом напряжения

25. К схемам включения БПТ не относится:
 - схема с общим стоком
 - схема с общим эмиттером 
 - схема с общим коллектором 
 - схема с общей базой

26. Выходным напряжением и током схемы с общим эмиттером являются:
 - напряжение база-эмиттер и ток базы
 - напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора
 - напряжение база-коллектор и ток коллектора
 - напряжение база-эмиттер и ток эмиттера

27. К режимам работы транзистора не относится:
 - переходной режим
 - режим насыщения
 - режим отсечки
 - активный режим

28. Транзистор как эквивалентный четырехполюсник представляется системой:
 - x-параметров
 - h-параметров
 - y-параметров
 - z-параметров

29. Система уравнений Эберса-Мола:
 - с достаточной точностью описывает германиевые транзисторы
 - с достаточной точностью описывает кремниевые транзисторы
 - описывает принцип работы туннельного диода
 - поясняет принцип работы приборов с зарядовой связью

30. Емкость цепи эмиттера транзистора:
 - влияет на характер изменения выходного сигнала на высоких частотах
 - влияет на постоянную времени цепи коллектора
 - не влияет на частотные свойства транзистора
 - влияет на время пролета через область объемного заряда коллектора

31. При замене транзистора под напряжением в первую очередь необходимо:
 - подключить базу
 - подключить эмиттер
 - подключить коллектор
 - отключить питание. Замена под напряжением запрещена

32. К шумам ПП-приборов не относится:
 - вторичный
 - тепловой
 - дробовой
 - избыточный

33. Германиевому биполярному транзистору соответствует обозначение:
 - 1Т
 - 2Т
 - 1П
 - 2П

34. Напряжение, при котором в полевом транзисторе начинает образовываться инверсная зона, называется:
 - пороговым напряжением
 - напряжением отсечки
 - напряжением "пика"
 - напряжением насыщения

35. Секция, не присущая регистру сдвига:
 - проходная
 - входная
 - секция переноса
 - выходная

36. В приборах с зарядовой связью заряд накапливается:
 - в потенциальных ямах
 - у потенциального барьера
 - в глубине структуры полупроводника
 - в области р-n-перехода

37. Денистор - это:
 - неуправляющий тиристор
 - управляющий тиристор
 - прибор, имеющий 2 р-n-перехода
 - разновидность транзистора

38. Для переключения денистора необходимо, чтобы коэффициент передачи по току был:
 - >=1
 - 0,5
 - 0,78
 - 0..1

39. Симистор - это:
 - симметричный тиристор
 - тиристор, имеющий 5 р-n-переходов
 - тиристор, имеющий 7 выводов
 - система из нескольких тирсторов

40. Для тиристоров напряжение включения находится в пределах:
 - 10В..2,5кВ
 - 1В..10В
 - 100В..10кВ
 - не ограничивается

41. Время переключения тиристора - время, при котором при переключении:
 - ток увеличивается от 0,1 до 0,9 установившейся величины, а напряжение падает от 0,9 до 0,1 начального
 - ток увеличивается от минимального значения до установившегося, напряжение меняется незначительно
 - величины тока и напряжения принимают значения установившихся
 - изменяется только величина напряжения

42. Излучающий прибор преобразует:
 - Электрическую или световую энергию в энергию светового излучения
 - Электрическую энергию в световую
 - Световую энергию в электрическую
 - Энергию светового излучения в тепловую

43. Светодиод, это прибор:
 - с 1 или несколькими элементарными переходами
 - только с 1 элементарным переходом
 - исключительно с несколькими переходами
 - преобразующий энергию некогерентного излучения в световую

44. К люминофорам не относятся:
 - плазмолюминофоры
 - электролюминофоры
 - фотолюминофоры
 - катодолюминофоры

45. Отношение количества фотонов к количеству рекомбинированных пар носителей заряда называется:
 - внутренним выходом
 - внешним выходом
 - средним выходом
 - удельным выходом

46. К характеристикам светодиода неотносится:
 - проходная характеристика
 - яркостная характеристика
 - ВАХ светодиода
 - Спектральная ВАХ

47. Лазер преобразует:
 - энергию некогерентного излучения в энергию когерентного
 - энергию когерентного излучения в некогерентного излучения
 - энергию когерентного излучения в электрическую
 - электрическую энергию в энегрию некогерентного излучения

48. К фотоприемникам не относятся:
 - фотокатоды
 - фоторезисторы
 - фототиристоры
 - фототранзисторы

49. В оптроне присутствует оптронная пара, которая:
 - оптически связана между собой
 - не выполняет функциональных преобразований сигнала
 - не связана между собой ни электрически, ни оптически
 - не производит усиления сигнала.

50. Интегральная чувствительность обозначается:
 - K
 - I
 - Ф
 - U