|
На главную
Электронная библиотека
Тема: "Логическое и параметрическое моделирование МОП СБИС"
| Статья |
Описание |
"Исследование взаимодействия соединений в СБИС"
Андрюхин А. И., Клименко И. В. |
Доклад опубликован в сборнике конференции "Донбасс 2020", которая проходила в ДонНТУ 31 мая 2006 года,
а также в сборнике конференции "Информатика и компьютерные технологии 2005", которая проходила в ДонНТУ 15 декабря 2005 года.
В докладе рассматривается влияние индуктивного взаимодействия сигналов на линии СБИС
|
"Параллельное моделирование неисправностей
МОП-структур"
Андрюхин А. И.
|
УДК 681.326, Электронное моделирование - № 1. 1997, - с. 58-63.
В статье описываются преобразования структур данных для исправной МОП-схемы, благодаря которым моделирование основных неисправностей МОП-схем, соответствующих конкретным физическим дефектам при их изготовлении, сводится к моделированию ассоциированного исправного устройства.
|
"Direct-mapped asynchronous finite-state machines in CMOS technology"
Christos P. Sotiriou
перевод (.htm)
оригинал (.pdf ~71Kb)
|
Institute for Computer Science (ICS), Foundation for Research and Technology - Hellas (FORTH)
В статье представлена инновационная технология Прямого-Отображения для проектирования асинхронных интегральных микросхем, которая, определяет взаимно-однозначное соответствие между диаграммой состояний и созданием ИС на КМОП-транзисторах, устраняет необходимость в анализе скачков переменной состояния и наличия паразитных импульсов.
|
"Логический учет динамики в МОП-структурах"
Андрюхин А. И., Терещук Д.С. |
ДонНТУ, кафедра ПМИ, 2000
Использование временных характеристик срабатывания МОП-транзисторов на основе характеристик их геометрии изготовления позволяет представить их моделирование решением системы булевых уравнений, практическая реализация решения которой основана на приведенном в статье алгоритме.
|
"Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование"
Е. А. Рыбин, Б. Г. Коноплев
(.pdf ~3.9Mb)
|
В монографии рассмотрены основные тенденции, ограничения и перспективы развития специализированных СБИС, современные технологические процессы их производства, перспективные направления развития субмикронной элементной базы, модели и методика моделирования субмикронных интегральных элементов, особенности организации современных САПР и маршруты проектирования СБИС с использованием языка VHDL. На конкретных примерах показаны возможности дальнейшего совершенствования методов проектирования элементной базы специализированных СБИС.
|
"Моделирование МОП транзисторов. Методологический аспект"
Денисенко В.В.
(.pdf ~535Kb)
|
Журнал "Компоненты и технологии", №7, 2004 г., с.26-29, продолжение в №8 с. 56-61 и в №9, с.32-39
Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных м од ел ей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП транзисторов .
|
"Алгоритм ключевого временного моделирования с оценкой мощности"
Егоров Ю.Б., Зиновьев А.В |
УДК 681.325, Информационные технологии, № 9. 1997, - с. 12-16.
Описывается подход к временному моделированию цифровых МОП-схем на ключевом уровне. Во время моделирования этим способом также оценивается потребляемая схемой мощность. Возможна подстройка требуемого соотношения скорости/точности моделирования для отдельных частей схемы |
"МОП-транзисторы"
Гавриленко А. |
ДГУ, радиофизический факультет, курсовая работа, 1998
Рассматривается устройство и принцип действия полевого транзистора МОП-структуры, который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры.
|
Наверх
|
Клименко Иван Владимирович