Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Vbe ( sat ) Voltage ( напряжение насыщения база - эмиттер )

Ic, Vbe

Зависимость напряжения насыщения база - эмиттер Vbe от тока коллектора 1 с Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения lc / lb =10

IS RB

1( Г 4 0

Output Admintance ( выходная проводимость )

Ic, hoe

Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора Ic

VAF

100 В

Vce

Смещение коллектор - эмиттер Vce =5 В

Forward DC Beta ( статический коэффициент передачи по току )

Ic, hFE

Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора Ic Измерения проводились при смещении коллектор - эмиттер Vce =1 В

BF

NE ISE XTB

NK*

100

1,5

0

1,5

0,5

Vce ( sat ) Voltage ( напряжение насыщения коллектор - эмиттер )

Ic, Vce

Зависимость напряжения насыщения коллектор - эмиттер Vce от тока коллектора Ic Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения lc / lb =10

BR

NC ISC IKR RC

1

2

0

0

0

C - B Capacitance ( барьерная емкость коллектор - база )

Vcb Cobo

Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор - база Vc

CJC VJC MJC FC*

2 пФ

0,75

В

0,33

0,5

Е - В Capacitance ( барьерная емкость эмиттер - база )

Veb, Cibo

Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения эмиттерр - база Veb

CJE VJE MJE

2 пФ

0,75 В

0,33

Storage Time ( время рассасывания заряда )

Ic, ts

Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора Ic Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения lc / lb =10

TR

10 не

Gain Bandwidth ( площадь усиления )

Ic, fT

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока fT в схеме ОЭ от тока коллектора Ic . Смещение коллектор - эмитер Vce=10 В

TF XTF VTF

*

ITF

1

НС

10 В

10 В

1

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение no умолчанию .

Transconductance ( передаточная проводимость )

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

BETA

RS

RD

0,0001

1 Ом

1 Ом

Output Conductance ( выходная проводимость )

Id,

Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id

LAMBDA

10" b

Transfer Curve ( проходная характеристика )

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор - исток Vgs

VTO

-2 В

Vds

Смещение сток - исток

VTOTC*

-0,0025

Reverse Transfer Capacitance ( проходная емкость )

Vgs, Crss

Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор - исток Vgs

CGD

M

PB

FC*

1 пФ

0,5

1

0,5

Vds

Смещение сток - исток

Input Capacitance ( входная емкость )

Vgs, Ciss

Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор - исток Vgs

CGS

1 пФ

Vds

Смещение сток - исток

Passive Gate Leakage ( ток утечки затвора в пассивном режиме )

Vdg, Igss

Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток - затвор Vdg

IS

ISR

N

NR

XTI*

10" 14 А

0

1

2

3

Acive Gate Leakage ( ток утечки затвора в активном режиме )

Vdg, Ig

Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток - затвор Vdg

ALPHA VK

1 В

Id

Ток стока .

Noise Voltage ( уровень внутреннего шума )

Freg, en Id

Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума , приведенного ко входу Ток стока

KF

AF*

10"' °

1

Символы

Справочные данные

Параметры модели

данных

Имя

Значение по

умолчанию

Hysteresis Curve ( Кривая гистерезиса )

H(Oers),

Координаты кривой

MS

100-103 А / м

намагниченности

А

1000 А / м

В (Gauss)

Начальная магнитная

С

0,2

К *

500

AREA*

0,1

GAP*

0

PACK*

1

PATH*

1

LEVEL*

2 ( не

изменяется )