CОЗДАНИЕ АНАЛОГОВЫХ PSPISE - МОДЕЛЕЙ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ

При расчете уровня внутреннего шума имена выходных перемен­ных имеют стандартный вид:

I Noise - эквивалентный уровень шумового напряжения или тока на входе, равный

ONoise - уровень напряжения шума на выходе, равный

DB (INoise) - эквивалентный уровень шумового напряжения или тока на входе децибелах.

DB (ONoise) - уровень напряжения шума на выходе в децибелах.

В программе Probe корень квадратный из спектральной плотности напряжения и тока внутреннего шума выводится в BHfleV (INoise), l (INoise), V (ONoise).

Резистор

Форма описания включения резистора в схему:

И < Имя > < Узел (+) Х Узел (-)> [< Имя моделиУ ] <3 начение >

Форма описания модели:

. Model < Имя модели > Res (< Парамет­ры моделиУ)

Параметры модели резистора указа­ны в таблице 7. Если в описании резис­тора < Имя моделиУ опущено, то его сопротивление равно параметру < Сопротивление У в омах. Если < Имя моде-

лиУ указано и в директиве. Model от­сутствует параметр ТСЕ, то сопротив­ление резистора определятся выраже­нием < значение > * R * [1+ ТС1 * (Т - Tnom) + TC2-(T - Tnom)²].

Если параметр ТСЕ указан, то сопро­тивление равно < значение > * R * 1,01 ТСЕ (Т " Tnom), где Т - текущее значение температуры (указывается по директиве. Temp); Tnom = 27 ° C - номинальная температура (указывается по директиве. Options).

Параметр ОначениеУ может быть как положительным, так и отрицательным, но не равным нулю.

Спектральная плотность теплового тока резистора рассчитывается по формуле Найквиста: S (f = 4 кТ /< Сопротивление >. Для резисторов с отрицательным сопротивлением в этой формуле берется абсолютное значение сопротивления.

Примеры:

RL 30 56 1.3К; Сопротивление RL ве­личиной 1.3 кОм подключенное к узлам 30 и 56.

R 2 12 25 2.4К ТС=0.005, -0.0003; Со­противление R 2 величиной 2.4 кОм, под­ключенное

* к узлам 12 и 25 и имеющее температурные коэффициенты ТС1 =0.005 1/°С,

* ТС2=-0.003 1/°С 2.

R 3 3 13 RM 10 K

. MODEL RM RES (R =1 DEV =10% TC 1=0.015 TC 2=-0.003); Сопротивление R 3,

• включенное между узлами 3 и 13, с моделью RM, учитывающий технологи­ческий
• разброс номинала и имеющее тем­пературные коэффициенты ТС1=0.015 1/°С

*ТС2=-0.003 1/°С 2.

Таблица 7. Параметры модели резистора

Конденсатор

Форма описания включения конденса­тора в схему:

С < ИмяУ < Узел (+) У < Узел (-) У [< Имя мо - делиУ ] ОначениеУ

Форма описания модели:

. Model< Имя моделиУ Сар (< Парамет - ры моделиУ)

Параметры модели конденсатора указаны в таблице 8. Если в описании конденсатора < ИмямоделиУ опущено, то его емкость равна параметру ОначениеУ в фарадах, в противном случае она определяется выражением <3 начение >- С -(1 + VC - V + VC 2- V²)+ TC 1 * (T - Tnom) + ТС 2- (T - Tnom)², где \/- напряжение на конденсаторе при расчете переходных процессов (режим Тгап). При расчете частотных характеристик (режим АС) емкость считается постоянной величиной, определяемой в рабочей точке по посто­янному току.

После ключевого слова 1 С указывает­ся значение напряжения на конденсато­ре при расчете режима по постоянному току, которое при расчете переходных процессов служит начальным значением этого напряжения.

Примеры:

С1 14 10и; конденсатор С1 = 10 мкФ, включенный между узлами 1 и 4.

С24 30 56 100pF; конденсатор C 24 ем­костью 100пФ включен между узлами 50 и 56.

СЗЗ 13RMON47n

.Model CMON Cap (C=1 DEV=10% TC1=0.05TC2=-0.02); Конденсатор С 3=47 нФ,

• включенный между узлами 3 и 13, с моделью RMON, учитывающий техноло­гический
• разброс номинала и имеющий тем­ пературные коэффициенты ТС 1=0,05 °С

* ТС2=-0,03 °С - 2.

Таблица 8. Параметры модели конденсатора

Индуктивность

Форма описания включения индуктив­ности в схему:

КИмя > < Узел (+) ХУзел (-)> [< Имя модели >] <3 начение >

Форма описания модели:

. Model < Имя модели > lnd (< llapaMeT - ры модели >)

Параметры модели индуктивности указаны в таблице 9. Если в описании индуктивности опущено < Имямодели >, то индуктивность равна параметру <3 наче - ние > в генри, в противном случае она определяется выражением вида < Значение >-1_-(1 + IL1 * I + IL2 * I²)+ TC 1 * (Т - Tnom) + TC2 * (Т - Tnom)², где I - ток через катушку индуктивности при расчете переходных процессов (режим Тгап). При расчете частотных характеристик (режим АС) индуктивность считается постоянной величиной, определяемой в рабочей точке по постоянному току.

После ключевого слова 1 С указывается значение тока через катушку индуктивно­сти при расчете режима по постоянному току, которое при расчете переходных процессов служит начальным значением этого тока.

Примеры:

L 1 30 56 10; индуктивность L1 = 10 Гн, включенная между узлами 30 и 56.

L 2 3 5 ЮОи; индуктивность L2=100 мкГн, включенная между узлами 3 и 5.

L 3 3 13 LM Ют

. Model LM Ind (L =1 DEV =10% TC 1=0.015 TC 2=-0.003); Индуктивность L 3=10 мГн,

• включенная между узлами 3 и 13, с моделью LM, учитывающая технологи­ ческий разброс номинала и имеющая тем­ пературные коэффициенты ТС1=0.015 1/°С
• ТС2=-0.003 1/°С 2.

Таблица 9. Параметры модели индуктивности