|
| 1. | К полупроводникам относят материалы, ширина запрещенной зоны которых … |
| 2. | Что не является полупроводником? |
| 3. | Какой из перечисленных полупроводников имеет наименьшую ширину запрещенной зоны? |
| 4. | Что представляют собой "дырки", носители положительного заряда в полупроводнике? |
| 5. | Какой энергетической зоны нет в полупроводнике? |
| 6. | Что называется рекомбинацией носителей заряда в полупроводнике? |
| 7. | Какой проводимостью обладает легированный полупроводник, если атомы примеси имеют больше валентных уровней, чем атомы полупроводника? |
| 8. | Какой проводимостью обладает кристалл германия (Ge) с примесью индия (In)? |
| 9. | Переход Шотки образуется в месте контакта … |
| 10. | Чем характеризуется симметричный p – n-переход? |
| 11. | Как называется пробой p – n-перехода, который развивается благодаря ионизации атомов полупроводника электронами под действием напряжения? |
| 12. | Как называется пробой p – n-перехода, возникающий под действием напряжения в полупроводниках с высокой степенью легирования и узкой запрещенной зоной в результате искривления энергетических уровней? |
| 13. | Как называется пробой p – n-перехода, возникающий если тепловая энергия, которая выделяется на переходе, превышает энергию, которая излучается переходом? |
| 14. | Как называется пробой p – n-перехода, обычно возникающий в месте дефекта и характеризующийся очень малыми размерами области пробоя? |
| 15. | С какой целью обычно используется лавинный пробой p – n-перехода? |
| 16. | Принцип действия какого устройства основан на туннельном пробое p – n-перехода? |
| 17. | К какой группе по функциональному назначению относятся диоды, предназначенные для преобразования энергии переменного тока в энергию постоянного тока? |
| 18. | К какой группе по функциональному назначению относятся диоды, предназначенные для преобразования и выделения полезных сигналов при модуляции и демодуляции? |
| 19. | К какой группе по диодов по функциональному назначению относят стабилитроны? |
| 20. | К какой группе по функциональному назначению относят фотодиоды и туннельные диоды? |
| 21. | Какая схема включения биполярного транзистора имеет большой коэффициент усиления по мощности и напряжению, малое входное и большое выходное сопротивления? |
| 22. | Какая схема включения биполярного транзистора имеет большой коэффициент усиления по току и напряжению, большое входное и выходное сопротивления? |
| 23. | Какая схема включения биполярного транзистора имеет большой коэффициент усиления по току, большое входное и малое выходное сопротивления? |
| 24. | Сколько может быть составлено систем уравнений, описывающих биполярный транзистор, если рассматривать его как четырехполюсник? |
| 25. | Что представляет собой зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-база при постоянном напряжении коллектор-база? |
| 26. | Что представляет собой зависимость тока коллектора транзистора от напряжения коллектор-база при постоянном токе эмиттера? |
| 27. | Как называется характеристика биполярного транзистора, представляющая собой зависимость тока коллектора от тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-база? |
| 28. | Какая характеристика биполярного транзистора представляет собой зависимость напряжения эмиттер-база от напряжения коллектор-база при постоянном токе эмиттера? |
| 29. | Какая характеристика биполярного транзистора представляет собой зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении коллектор-эмиттер? |
| 30. | Какая характеристика биполярного транзистора представляет собой зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы? |
| 31. | Какая характеристика биполярного транзистора представляет собой зависимость тока коллектора от тока базы при постоянном напряжении коллектор-эмиттер? |
| 32. | Какая характеристика биполярного транзистора представляет собой зависимость напряжения база-эмиттер от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы? |
| 33. | Что такое составной транзистор? |
| 34. | Что является носителем заряда в любом полевом транзисторе? |
| 35. | Как называется область полевого транзистора, толщина которой и поперечный срез управляется p – n-переход, проводящая ток? |
| 36. | Как называется полупроводниковый прибор, имеющий три или более p – n-перехода и участок вольтамперной характеристики с отрицательным динамическим сопротивлением? |
| 37. | Сколько p – n-переходов у динистора? |
| 38. | Сколько p – n-переходов имеет обычный биполярный транзистор? |
| 39. | Сколько p – n-переходов у диода? |
| 40. | В чем состоит принципиальное отличие излучения полупроводникового лазера от излучения полупроводникового светодиода? |
| 41. | Какие группы диодов различают по конструктивно-технологическому принципу? |
| 42. | Какое из следующий обозначений полупроводниковых приборов подходит под описание: диод полупроводниковый универсальный, германиевый, предназначен для устройств широкого применения? |
| 43. | Чем отличается работа стабистора от работы стабилитрона? |
| 44. | Что является основным параметром варикапа? |
| 45. | Как называется режим работы биполярного транзистора, когда оба перехода заперты? |
| 46. | Как называется режим работы биполярного транзистора, когда оба перехода отперты? |
| 47. | Как называется режим работы биполярного транзистора, когда эмиттерный переход частично отперт, а коллекторный заперт? |
| 48. | Как называют режим работы биполярного транзистора, когда эмиттерный переход заперт, а коллекторный частично отперт? |
| 49. | Величина прямого сопротивления коллекторного перехода транзистора обычно составляет … |
| 50. | В каком диапазоне обычно лежит значение обратного сопротивления коллекторного перехода транзистора?
|
