|
Ссылки:
|
Список вопросов по дисциплине «Электроника»
Раздел: «Твердотельная электроника»
- В зависимости от степени легирования р-n-переходы делят на:
- симметричные и несимметричные
- донорные и акцепторные
- прямого и обратного включения
- насыщенные и обедненные
- Диффузионная длина - расстояние в ПП, на котором концентрация носителей заряда изменяется:
- в 2,71-раз
- в 3,14-раз
- в 2 раза
- в 1,7 раз
- ПП с большой концентрацией примесей и малым сопротивлением называется:
- эмиттер
- база
- инжектор
- затвор
- С увеличением температуры окружающей среды высота потенциального барьера:
- уменьшается
- увеличивается
- остается неизменной
- увеличивается только при увеличении концентрации примесей
- Переход Шотки - это:
- переход Ме-ПП
- переход p+ - p-
- переход n+ - n-
- переход p-ПП - n-ПП
- Искривленные зоны вблизи поверхности ПП называются:
- каналом
- затвором
- стоком
- истоком
- При прямом включении р-n-перехода в основном проявляется:
- диффузионная емкость
- барьерная емкость
- обе емкости в равной с тепени
- обе емкости не проявляются
- К типам пробоя р-n-переходов не относится:
- спонтанный пробой
- туннельный пробой
- лавинный пробой
- тепловой пробой
- ПП-диодом называется прибор, имеющий:
- 1 выпрямляющий контакт и 2 омических вывода
- 2 выпрямляющих контакта и 1 омический вывод
- только 2 омических вывода
- только два выпрямляющих контакта
- Температурный коэффициент германия:
- 0,09К-1
- 0,13 К-1
- 1К-1
- 2,7 К-1
- Температурный коэффициент напряжения германиевых диодов:
- 2,2 мВ/град
- 0,71 мВ/град
- 1,33 мВ/град
- 0,1 мВ/град
- ВЧ-диоды изготавливаются путем:
- вплавления Ме-вывода
- вплавления ПП-контакта
- увеличения степени легирования
- увеличения площади р-n-перехода
- Скоростные диоды имеют время восстановления:
- 0,1мкс < tВОС < 0,1мкс
- 0,1нс < tВОС < 0,1мкс
- 0,1мс < tВОС < 1с
- 0,1мкс < tВОС < 1мс
- К основным параметрам стабилитрона не относится:
- коэффициент стабилизации
- минимальный ток стабилизации
- напряжение стабилизации
- дифференциальное сопротивление стабилизации
- Для стабилизации напряжения до 1В используются кремниевые диоды, называемые:
- стабисторами
- термисторами
- варикапами
- импульсными диодами
- Напряжение впадины для германиевых туннельных диодов:
- 250..350мВ
- 400..500мВ
- 300..450мкВ
- 100..150мВ
- Найдите лишнюю позицию в классификации туннельных диодов:
- стабилизирующие
- усилительные
- генераторные
- переключательные
- Максимальная емкость р-n-перехода туннельного диода:
- 1-2пФ
- 10-20пФ
- 1-2мкФ
- 1-2Ф
- На резонансной частоте:
- мнимая часть комплексного сопротивления равна 0
- действительная часть комплексного сопротивления равна 0
- мнимая часть по модулю равна действительной
- комплексное сопротивление определить не возможно
- К элементам эквивалентной схемы варикапа не относится:
- входная емкость
- индуктивность выводов
- сопротивление базы
- барьерная емкость
- Цифровое обозначение кремниевых диодов:
- Транзистор имеет:
- не менее 2 р-n-переходов
- 1 р-n-переход
- 2 невыпрямляющих вывода
- не имеет выпрямляющих выводов
- Активная ширина базы транзистора обозначается:
- Работа транзистора по схеме с общей базой характеризуется:
- коэффициентом передачи по току
- коэффициентом усиления по напряжению
- температурным коэффициентом сопротивления
- температурным коэффициентом напряжения
- К схемам включения БПТ не относится:
- схема с общим стоком
- схема с общим эмиттером
- схема с общим коллектором
- схема с общей базой
- Выходным напряжением и током схемы с общим эмиттером являются:
- напряжение база-эмиттер и ток базы
- напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора
- напряжение база-коллектор и ток коллектора
- напряжение база-эмиттер и ток эмиттера
- К режимам работы транзистора не относится:
- переходной режим
- режим насыщения
- режим отсечки
- активный режим
- Транзистор как эквивалентный четырехполюсник представляется системой:
- x-параметров
- h-параметров
- y-параметров
- z-параметров
- Система уравнений Эберса-Мола:
- с достаточной точностью описывает германиевые транзисторы
- с достаточной точностью описывает кремниевые транзисторы
- описывает принцип работы туннельного диода
- поясняет принцип работы приборов с зарядовой связью
- Емкость цепи эмиттера транзистора:
- влияет на характер изменения выходного сигнала на высоких частотах
- влияет на постоянную времени цепи коллектора
- не влияет на частотные свойства транзистора
- влияет на время пролета через область объемного заряда коллектора
- При замене транзистора под напряжением в первую очередь необходимо:
- подключить базу
- подключить эмиттер
- подключить коллектор
- отключить питание. Замена под напряжением запрещена
- К шумам ПП-приборов не относится:
- вторичный
- тепловой
- дробовой
- избыточный
- Германиевому биполярному транзистору соответствует обозначение:
- Напряжение, при котором в полевом транзисторе начинает образовываться инверсная зона, называется:
- пороговым напряжением
- напряжением отсечки
- напряжением «пика»
- напряжением насыщения
- Секция, не присущая регистру сдвига:
- проходная
- входная
- секция переноса
- выходная
- В приборах с зарядовой связью заряд накапливается:
- в потенциальных ямах
- у потенциального барьера
- в глубине структуры полупроводника
- в области р-n-перехода
- Денистор - это:
- неуправляющий тиристор
- управляющий тиристор
- прибор, имеющий 2 р-n-перехода
- разновидность транзистора
- Для переключения денистора необходимо, чтобы коэффициент передачи по току был:
- Симистор - это:
- симметричный тиристор
- тиристор, имеющий 5 р-n-переходов
- тиристор, имеющий 7 выводов
- система из нескольких тирсторов
- Для тиристоров напряжение включения находится в пределах:
- 10В..2,5кВ
- 1В..10В
- 100В..10кВ
- не ограничивается
- Время переключения тиристора - время, при котором при переключении:
- ток увеличивается от 0,1 до 0,9 установившейся величины, а напряжение падает от 0,9 до 0,1 начального
- ток увеличивается от минимального значения до установившегося, напряжение меняется незначительно
- величины тока и напряжения принимают значения установившихся
- изменяется только величина напряжения
- Излучающий прибор преобразует:
- Электрическую или световую энергию в энергию светового излучения
- Электрическую энергию в световую
- Световую энергию в электрическую
- Энергию светового излучения в тепловую
- Светодиод, это прибор:
- с 1 или несколькими элементарными переходами
- только с 1 элементарным переходом
- исключительно с несколькими переходами
- преобразующий энергию некогерентного излучения в световую
- К люминофорам не относятся:
- плазмолюминофоры
- электролюминофоры
- фотолюминофоры
- катодолюминофоры
- Отношение количества фотонов к количеству рекомбинированных пар носителей заряда называется:
- внутренним выходом
- внешним выходом
- средним выходом
- удельным выходом
- К характеристикам светодиода неотносится:
- проходная характеристика
- яркостная характеристика
- ВАХ светодиода
- Спектральная ВАХ
- Лазер преобразует:
- энергию некогерентного излучения в энергию когерентного
- энергию когерентного излучения в некогерентного излучения
- энергию когерентного излучения в электрическую
- электрическую энергию в энегрию некогерентного излучения
- К фотоприемникам не относятся:
- фотокатоды
- фоторезисторы
- фототиристоры
- фототранзисторы
- В оптроне присутствует оптронная пара, которая:
- оптически связана между собой
- не выполняет функциональных преобразований сигнала
- не связана между собой ни электрически, ни оптически
- не производит усиления сигнала.
- Интегральная чувствительность обозначается:
|
|