Филобок Роман Маркович

Донецкий национальный технический университет
Факультет КИТА, группа ПЭ-99

  биография диссертация библиотека перечень ссылок отчет о поиске  
       
   

Библиотека

рус  |  укр  |  eng  |

 
 

Ссылки:

Список вопросов по дисциплине «Электроника»

Раздел: «Твердотельная электроника»

  1. В зависимости от степени легирования р-n-переходы делят на:
    • симметричные и несимметричные
    • донорные и акцепторные
    • прямого и обратного включения
    • насыщенные и обедненные
  2. Диффузионная длина - расстояние в ПП, на котором концентрация носителей заряда изменяется:
    • в 2,71-раз
    • в 3,14-раз
    • в 2 раза
    • в 1,7 раз
  3. ПП с большой концентрацией примесей и малым сопротивлением называется:
    • эмиттер
    • база
    • инжектор
    • затвор
  4. С увеличением температуры окружающей среды высота потенциального барьера:
    • уменьшается
    • увеличивается
    • остается неизменной
    • увеличивается только при увеличении концентрации примесей
  5. Переход Шотки - это:
    • переход Ме-ПП
    • переход p+ - p-
    • переход n+ - n-
    • переход p-ПП - n-ПП
  6. Искривленные зоны вблизи поверхности ПП называются:
    • каналом
    • затвором
    • стоком
    • истоком
  7. При прямом включении р-n-перехода в основном проявляется:
    • диффузионная емкость
    • барьерная емкость
    • обе емкости в равной с тепени
    • обе емкости не проявляются
  8. К типам пробоя р-n-переходов не относится:
    • спонтанный пробой
    • туннельный пробой
    • лавинный пробой
    • тепловой пробой
  9. ПП-диодом называется прибор, имеющий:
    • 1 выпрямляющий контакт и 2 омических вывода
    • 2 выпрямляющих контакта и 1 омический вывод
    • только 2 омических вывода
    • только два выпрямляющих контакта
  10. Температурный коэффициент германия:
    • 0,09К-1
    • 0,13 К-1
    • 1К-1
    • 2,7 К-1
  11. Температурный коэффициент напряжения германиевых диодов:
    • 2,2 мВ/град
    • 0,71 мВ/град
    • 1,33 мВ/град
    • 0,1 мВ/град
  12. ВЧ-диоды изготавливаются путем:
    • вплавления Ме-вывода
    • вплавления ПП-контакта
    • увеличения степени легирования
    • увеличения площади р-n-перехода
  13. Скоростные диоды имеют время восстановления:
    • 0,1мкс < tВОС < 0,1мкс
    • 0,1нс < tВОС < 0,1мкс
    • 0,1мс < tВОС < 1с
    • 0,1мкс < tВОС < 1мс
  14. К основным параметрам стабилитрона не относится:
    • коэффициент стабилизации
    • минимальный ток стабилизации
    • напряжение стабилизации
    • дифференциальное сопротивление стабилизации
  15. Для стабилизации напряжения до 1В используются кремниевые диоды, называемые:
    • стабисторами
    • термисторами
    • варикапами
    • импульсными диодами
  16. Напряжение впадины для германиевых туннельных диодов:
    • 250..350мВ
    • 400..500мВ
    • 300..450мкВ
    • 100..150мВ
  17. Найдите лишнюю позицию в классификации туннельных диодов:
    • стабилизирующие
    • усилительные
    • генераторные
    • переключательные
  18. Максимальная емкость р-n-перехода туннельного диода:
    • 1-2пФ
    • 10-20пФ
    • 1-2мкФ
    • 1-2Ф
  19. На резонансной частоте:
    • мнимая часть комплексного сопротивления равна 0
    • действительная часть комплексного сопротивления равна 0
    • мнимая часть по модулю равна действительной
    • комплексное сопротивление определить не возможно
  20. К элементам эквивалентной схемы варикапа не относится:
    • входная емкость
    • индуктивность выводов
    • сопротивление базы
    • барьерная емкость
  21. Цифровое обозначение кремниевых диодов:
    • 2
    • 1
    • 4
    • 3
  22. Транзистор имеет:
    • не менее 2 р-n-переходов
    • 1 р-n-переход
    • 2 невыпрямляющих вывода
    • не имеет выпрямляющих выводов
  23. Активная ширина базы транзистора обозначается:
    • w
    • b
    • l
    • e
  24. Работа транзистора по схеме с общей базой характеризуется:
    • коэффициентом передачи по току
    • коэффициентом усиления по напряжению
    • температурным коэффициентом сопротивления
    • температурным коэффициентом напряжения
  25. К схемам включения БПТ не относится:
    • схема с общим стоком
    • схема с общим эмиттером
    • схема с общим коллектором
    • схема с общей базой
  26. Выходным напряжением и током схемы с общим эмиттером являются:
    • напряжение база-эмиттер и ток базы
    • напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора
    • напряжение база-коллектор и ток коллектора
    • напряжение база-эмиттер и ток эмиттера
  27. К режимам работы транзистора не относится:
    • переходной режим
    • режим насыщения
    • режим отсечки
    • активный режим
  28. Транзистор как эквивалентный четырехполюсник представляется системой:
    • x-параметров
    • h-параметров
    • y-параметров
    • z-параметров
  29. Система уравнений Эберса-Мола:
    • с достаточной точностью описывает германиевые транзисторы
    • с достаточной точностью описывает кремниевые транзисторы
    • описывает принцип работы туннельного диода
    • поясняет принцип работы приборов с зарядовой связью
  30. Емкость цепи эмиттера транзистора:
    • влияет на характер изменения выходного сигнала на высоких частотах
    • влияет на постоянную времени цепи коллектора
    • не влияет на частотные свойства транзистора
    • влияет на время пролета через область объемного заряда коллектора
  31. При замене транзистора под напряжением в первую очередь необходимо:
    • подключить базу
    • подключить эмиттер
    • подключить коллектор
    • отключить питание. Замена под напряжением запрещена
  32. К шумам ПП-приборов не относится:
    • вторичный
    • тепловой
    • дробовой
    • избыточный
  33. Германиевому биполярному транзистору соответствует обозначение:
  34. Напряжение, при котором в полевом транзисторе начинает образовываться инверсная зона, называется:
    • пороговым напряжением
    • напряжением отсечки
    • напряжением «пика»
    • напряжением насыщения
  35. Секция, не присущая регистру сдвига:
    • проходная
    • входная
    • секция переноса
    • выходная
  36. В приборах с зарядовой связью заряд накапливается:
    • в потенциальных ямах
    • у потенциального барьера
    • в глубине структуры полупроводника
    • в области р-n-перехода
  37. Денистор - это:
    • неуправляющий тиристор
    • управляющий тиристор
    • прибор, имеющий 2 р-n-перехода
    • разновидность транзистора
  38. Для переключения денистора необходимо, чтобы коэффициент передачи по току был:
    • > = 1
    • 0,5
    • 0,78
    • 0..1
  39. Симистор - это:
    • симметричный тиристор
    • тиристор, имеющий 5 р-n-переходов
    • тиристор, имеющий 7 выводов
    • система из нескольких тирсторов
  40. Для тиристоров напряжение включения находится в пределах:
    • 10В..2,5кВ
    • 1В..10В
    • 100В..10кВ
    • не ограничивается
  41. Время переключения тиристора - время, при котором при переключении:
    • ток увеличивается от 0,1 до 0,9 установившейся величины, а напряжение падает от 0,9 до 0,1 начального
    • ток увеличивается от минимального значения до установившегося, напряжение меняется незначительно
    • величины тока и напряжения принимают значения установившихся
    • изменяется только величина напряжения
  42. Излучающий прибор преобразует:
    • Электрическую или световую энергию в энергию светового излучения
    • Электрическую энергию в световую
    • Световую энергию в электрическую
    • Энергию светового излучения в тепловую
  43. Светодиод, это прибор:
    • с 1 или несколькими элементарными переходами
    • только с 1 элементарным переходом
    • исключительно с несколькими переходами
    • преобразующий энергию некогерентного излучения в световую
  44. К люминофорам не относятся:
    • плазмолюминофоры
    • электролюминофоры
    • фотолюминофоры
    • катодолюминофоры
  45. Отношение количества фотонов к количеству рекомбинированных пар носителей заряда называется:
    • внутренним выходом
    • внешним выходом
    • средним выходом
    • удельным выходом
  46. К характеристикам светодиода неотносится:
    • проходная характеристика
    • яркостная характеристика
    • ВАХ светодиода
    • Спектральная ВАХ
  47. Лазер преобразует:
    • энергию некогерентного излучения в энергию когерентного
    • энергию когерентного излучения в некогерентного излучения
    • энергию когерентного излучения в электрическую
    • электрическую энергию в энегрию некогерентного излучения
  48. К фотоприемникам не относятся:
    • фотокатоды
    • фоторезисторы
    • фототиристоры
    • фототранзисторы
  49. В оптроне присутствует оптронная пара, которая:
    • оптически связана между собой
    • не выполняет функциональных преобразований сигнала
    • не связана между собой ни электрически, ни оптически
    • не производит усиления сигнала.
  50. Интегральная чувствительность обозначается:
    • K
    • I
    • Ф
    • U
 

    Valid HTML 4.01! Филобок Роман Маркович
e-mail: rommstein@ukr.net
icq: 163-720-692
irc: #gits (rus.dal.net)