ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

	Подготовка модуля вопросов для тестовой системы по дисциплине "Электроника". Раздел "Полупроводники".

Модуль вопросов был составлен на базе лекций по дисциплине "Электроника" и охватывает раздел "Полупроводники" этой дисциплины, которая читается на 3 курсе специальности "Системы управления и автоматики" факультета Компьютерных Инфомационных Технологий и Автоматики. Модуль состоит из 50 вопросов.

Вопросы:

1. Выпрямительные диоды это
2. Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является
3. Величина допустимого обратного напряжения на переходе кремниевых диодов составляет
4. Падение напряжения на переходе у кремниевых выпрямительных диодов при прямом включении составляет
5. Допустимая температура на переходе кремниевых диодов составляет
6. Допустимая температура на переходе германиевых диодов составляет
7. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметры
8. Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это
9. Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система
10. H-параметры биполярного транзистора имеют недостатки
11. Коэффициент обратной связи по напряжению характеризует
12. Высокочастотные диоды – это
13. Емкость высокочастотных диодов составляет величину
14. Импульсные диоды – это
15. Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры
16. Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью
17. Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это
18. Менее подвержена влиянию температуры
19. Шум в биполярном транзисторе – это
20. Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим p-n переходом составляет
21. Туннельный диод – это диод
22. Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является
23. Интегральный транзистор п-р-п – это биполярный транзистор
24. Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как
25. Стабилитрон – это
26. Стабилитроны изготавливаются из
27. Использование интегральных биполярных транзисторов в качестве диодов возможно в
28. Наименьшее напряжение стабилизации стабилитронов составляет
29. Максимальное напряжение стабилизации у кремниевого стабилитрона составляет
30. В качестве тонкопленочных резисторов интегральных ИМС используются
31. В режиме обратного включения работают полупроводниковые диоды
32. Минимальная температура, при которой могут работать полупроводниковые приборы, составляет
33. Максимальная рабочая температура для германиевых полупроводниковых приборов составляет
34. Максимальная рабочая температура для кремниевых полупроводниковых приборов составляет
35. Величина напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов определяется
36. После прекращения воздействия p-n переход восстанавливает свои свойства
37. На основе эмиттерной области биполярных транзисторов ИМС изготавливают резисторы
38. Максимальное сопротивление пинч-резисторов составляет
39. В качестве стабилитрона в полупроводниковых интегральных микросхемах используется вариант соединения биполярного транзистора
40. Диод Шоттки – это
41. Транзистором биполярным называется
42. Бездрейфовые транзисторы – это
43. Операционным называется усилитель электрических сигналов для выполнения операций
44. Операционные усилители используются для построения схем
45. Операционные усилители обладают
46. Операционный усилитель имеет
47. Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен
48. На вход ОУ можно подавать сигналы от
49. Инвертор – это усилитель
50. В практике сигнал на вход ОУ подают